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Indium gallium aluminium nitride : ウィキペディア英語版 | Indium gallium aluminium nitride Indium gallium aluminium nitride (InGaAlN) is a GaN-based compound semiconductor. It is usually prepared by epitaxial growth, such as MOCVD, MBE, PLD, etc. This material is used for specialist opto-electronics applications, often in blue laser diodes and LEDs. The chemical symbol for the compound is InGaAlN.
抄文引用元・出典: フリー百科事典『 ウィキペディア(Wikipedia)』 ■ウィキペディアで「Indium gallium aluminium nitride」の詳細全文を読む
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